与UiO-66-P相比，陇东流线路工UiO-66-D具有以~1.7nm为中心的额外孔径分布，陇东流线路工导致在高相对压力区域的显著吸附（P/P00.9））图2UiO-66-D中完美和缺失-连接区的HRTEM分析 CTF校正的HRTEM图像和结构模型沿 [001]（a），[110]（b）区域轴完美UiO-66（Fm-3m），沿[001]（c），[100]（d）和[110]（e）缺失的配体缺陷的区域轴（I4/mmm）。

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工图在每个小组中：（i）CTF校正的图像。图3UiO-66-D团簇缺失缺陷的HRTEM分析a，检查b，[001]方向的CTF校正的HRTEM图像，显示不同类型的团簇缺失缺陷，采用reo结构（a）和scu结构（b）。

召开作者发现在UiO-66中同时存在一类配体缺失缺陷（missing-linkerdefect）和两类团簇缺失缺陷（missing-clusterdefect）。同时，陇东流线路工HRTEM显示UiO-66具有两种不同类型的团簇缺失缺陷。